154N-001G-R压力传感器测量方法

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每个压力传感器的核心是敏感元件，它将压力转换为电信号。各种高精度、压阻式压力传感 MEMS 芯片有助于实现这一目标。

154N-001G-R压力传感器芯片的特点是专注于在更小的封装中实现更高的灵敏度和性能、增强介质耐受性、易于处理以及在其整个生命周期内提供信号的能力。154N-001G-R芯片中的传感材料是硅膜片，在施加压力时会弯曲。这种变形或机械应力导致作为电阻桥配置植入隔膜中的压敏电阻的电阻率发生变化。

使用硅传感器芯片测量压力是基于压阻效应，这是由隔膜两端的压力差引起的机械应力。根据电阻器的方向，这种变化可以增加或减少。然后，电桥电路将此变化转换为与施加的电压差成比例的电信号。

154N-015A-C用于汽车行业以支持发动机管理和安全系统，原因如下：

硅中电阻的压阻变化是基于材料中的弹性张力与半导体的特殊能带结构的相互作用。结果，可以获得比简单金属高100倍的K因子。测量元件由单晶硅制成。由应力引起的不可逆变形和重排是多晶材料中的已知效应。因此，在拉伸单晶薄膜后，154N-015A-C传感器始终恢复到原始状态而不变形。压阻效应发生在材料块内部。表面的电化学老化，如传感器可能发生的那样。

压力传感器的不同方法

154N-015A-R 绝对压力传感器测量相对于密封真空参考的压力，因此无论温度变化如何，它都能保持精确和准确。对于密封芯片，通过在真空下将硅阳极键合到固体玻璃基板（正面或背面）来产生绝对真空。

对于正面压力应用，被测介质与芯片正面的有源电子元件直接接触。这种测量方法可以测量干燥和非腐蚀性气体和空气。

为了测量非腐蚀性气体和流体的压力，例如涉及燃料或石油应用的那些，必须避免正面接触。取而代之的是，介质通过背面的一个孔进入，一个参考真空室以玻璃盖的形式添加到前面。DP86-001D 传感器测量两个施加压力之间的差异。前侧较高的压差会导致输出信号发生正变化。如果背压高于前压，则输出信号变为负值。这些传感器适用于非腐蚀性气体和流体，例如与过滤器监测或流量控制相关的那些。

顾名思义，表压传感器154N-015G-R用于测量气体或液体的液位或体积。它是一种特殊类型的差压传感器，因为正面或背面都暴露在环境压力下，而另一侧则暴露在被测介质中。由于154N-030G-R压力传感器芯片的灵活配置，以下技术进步是可能的：

如果用于绝对测量的参考室采用原子键合密封，则与其他熔块键合技术相比，压力传感器可确保较高的长期稳定性。使用背面的154N-050G-R压力传感器可实现密封设计，因为晶圆级封装允许电子设备与应用流体或气体之间的清晰分离。

电屏蔽可以直接设计到MEMS层系统中，以减少对芯片性能的电磁和电化学影响。用于压力传感元件和传感器封装的坚固焊点的可选芯片背面金属化可实现显着的介电电阻和高机械稳健性。较新的模具设计提供了为绝对和相对压力创建平台产品的灵活性，只需对压力传感器组件进行较小的设计更改。

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